作者：第三代半导体产业联盟
　　来源： 微信公众号“材料深一度”
　　以SiC、GaN等为主的第三代半导体材料在大功率、高温、高频、抗辐射的微电子领域，以及短波长光电子领域，有明显优于Si、Ge、GaAs等第一代和第二代半导体材料的性能。第三代半导体材料正在成为抢占下一代信息技术、节能减排技术及国防安全技术的战略制高点，是战略性新兴产业的重要组成部分。
　　前期，我们曾为大家图示了SiC电力电子器件产业链《一张图看懂SiC电力电子器件产业链》，获得了众多读者的关注，在此感谢那些在公众号留言补充和修正的读者。接下来，我们将通过一张图为大家介绍下大陆GaN器件产业链的情况，企业排名不分先后。
　　III族氮化物半导体具有宽的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强等优越性能，是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料。在III族氮化物材料体系中，AlGaN/GaN异质结构是迄今为止研制高温、高频、大功率电子器件最重要和最基本的材料体系。
　　GaN产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节以及下游的应用环节。当然还有配套的设备、材料等环节，本期不做重点介绍。

　　衬底环节
　　大陆GaN衬底生产企业主要包括苏州纳维和东莞中镓。
　　1、苏州纳维
　　苏州纳维科技有限公司成立于2007年5月，公司以中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，专注于从事氮化镓衬底晶片及相关设备的研发和产业化，提供各类氮化镓材料，目前公司拥有核心技术专利近三十项，是中国首家氮化镓衬底晶片供应商。
　　2、东莞中镓
　　东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年，总部位于广东省东莞市，拥有17000多平方米的厂房和办公区，是国内领先的专业从事第三代半导体材料研发和制造的高新技术企业。中镓公司创造性地采用MOCVD技术、激光剥离技术、HVPE技术相结合的方法，开发出系列氮化镓（GaN）衬底产品。公司主营产品有：（1）GaN基衬底材料，包括自支撑GaN衬底，GaN/Al2O3复合衬底等；（2）生产上述产品的设备，包括激光剥离设备、HVPE设备等。
　　外延环节
　　电力电子应用领域，大陆GaN外延企业主要包括晶湛半导体、江苏能华、华功半导体、英诺赛科和大连芯冠。
　　射频应用领域，大陆GaN外延企业主要包括晶湛半导体和苏州能讯。
　　上述企业中，晶湛半导体是专业的GaN外延代工企业，其他企业为IDM模式的GaN器件生产企业。
　　1、晶湛半导体
　　苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，坐落于江苏省苏州工业园区纳米城。公司致力于为微波射频和电力电子器件应用领域提供高品质氮化镓外延材料，产品包括Si基、蓝宝石基和SiC基氮化镓外延片。
　　器件、模组环节
　　目前，GaN器件的生产已经开始出现分工，但目前仍以IDM模式为主。
　　水平分工层面，GaN器件的生产分为芯片设计、芯片制造和封装测试环节。大陆芯片设计企业包括安谱隆半导体、海思和中兴微电子等，代工企业包括三安集成和海威华芯。
　　电力电子应用领域，大陆GaN器件和模组IDM生产企业主要包括江苏能华、华功半导体、英诺赛科和大连芯冠。
　　射频应用领域，目前大陆GaN器件和模组IDM生产企业是苏州能讯。
　　1、安谱隆半导体（Ampleon）
　　2015年5月，建广资产以18亿美元收购NXP旗下的RF Power部门成立安谱隆半导体（Ampleon），主要业务包括LDMOS、SiC基GaN功率放大器等射频器件的设计。公司总部位于荷兰奈梅根，2016年安谱隆半导体落户合肥高新区。安谱隆半导体（合肥）有限公司作为荷兰Ampleon公司在中国区的研发和销售中心，致力于在射频技术等领域的创新和研发。
　　2、三安集成
　　三安集成注册成立于2014年，目前在第三代半导体领域定位做代工服务。公司成功收购瑞典SiC衬底和外延生产企业Norstel，并与美国代工企业GCS设立合资公司三安环宇，三安持股51%。
　　3、海威华芯
　　2015年，四川海特高新技术股份有限公司收购中电科29所旗下成都嘉石科技，控股53%，成立海威华芯。2016年4月，海威华芯第一条6英寸第二代化合物半导体集成电路生产线贯通，该生产线同时具有砷化镓、氮化镓以及相关高端光电产品的生产能力。同时公司在GaN、SiC等化合物半导体领域已逐渐展开布局。
　　4、江苏能华
　　公司成立于2010年6月，是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的，由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发，生产、制造和销售以氮化镓（GaN）为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。
　　5、华功半导体
　　江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月，注册地在苏州吴江区汾湖高新技术开发区。公司注册资本5亿元人民币，核心业务涵盖以第三代半导体氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为主的电力电子器件全产业链产品。包含GaN材料和芯片，半导体功率器件和模块封装以及终端应用的开发、推广，开展研发、生产、销售和服务。公司由国内着名机构北京大学、中山大学、中国电子信息产业集团(CEC)下属彩虹集团合肥蓝光公司以及东莞中镓半导体集团公司合作，共同投入专有技术和研发力量；由国广资本和大丰集团投入资金共同组建。
　　6、英诺赛科
　　英诺赛科是2015年12月由海归团队发起创办，从事宽禁带半导体电力电子器件的研发与生产，一期项目位于珠海市国家级高新区，已完成投资10.9亿元，建设8英寸增强型硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线。公司商业模式将采用IDM全产业链模式，打造集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试于一体的生产平台。
　　7、大连芯冠
　　大连芯冠科技有限公司是一家半导体集成电路高新技术企业，主要从事第三代半导体功率器件的研发、设计、生产和销售。公司于2016年3月在大连高新技术产业园区辽宁省集成电路设计产业基地成立，注册资本人民币4000万元。公司研发生产产品包括第三代半导体氮化镓外延以及氮化镓功率器件，主要应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车以及马达驱动等商业领域。
　　8、苏州能讯
　　苏州能讯是由获得中国第一批“千人计划”支持的海外归国人员创办的高新技术企业。公司创立于2007年，目前注册资本为2.79亿元，公司总部位于江苏省苏州市昆山国家高新区晨丰路18号，并在西安、南京设立了研发中心。能讯半导体致力于GaN射频功率器件的开发和生产，目前是国内除科研院所外唯一一家在GaN射频功率器件领域拥有独立氮化镓FAB 工厂和生产能力的IDM公司。
　　应用环节
　　GaN电力电子器件在消费类电源、不间断电源和光伏逆变器等领域逐渐打开市场。
　　射频应用领域，5GHz以上的宏基站中，GaN器件正在逐渐抢占Si LDMOS的市场份额，但在移动终端领域，目前仍受制于高成本和高供电电压等问题。此外，GaN射频器件已经开始渗透到国防军工等领域。