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【SSLCHINA 2014】张国义:氮化物半导体LED衬底材料的发展
点击次数:  更新时间:2019-03-15 17:26:37  【打印此页】  【关闭

  摘要:2014年11月6日下午,在第十一届中国国际半导体照明论坛(SSL CHINA 2014)材料与装备技术分会上,来自北京大学教授、中镓半导体科技有限公司总经理张国义做了题为氮化物半导体LED衬底材料进展的报告。

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  氮化物半导体在LED照明的广泛的应用,已经成为宽禁带半导体材料中最具吸引力的材料。然而,制约氮化物半导体的发展重要因素之一,就是衬底材料。

  由于GaN单晶衬底时至今日没有很好解决,人们不得不采用各种替代GaN的衬底材料,通过异质外延技术,以其满足制备各种器件的需求。

  这些替代衬底材料不同程度的存在着晶体结构失配,晶格常数失配,热膨胀系数失配等因素,造成了生长过程的复杂化,在晶体中引入大量的位错等缺陷,严重影响着器件的性能。

图片关键词
北京大学教授 中镓半导体科技有限公司总经理张国义


【SSLCHINA 2014】张国义:氮化物半导体LED衬底材料的发展

点击次数:  更新时间:2019-03-15 17:26:37  【打印此页】  【关闭

  摘要:2014年11月6日下午,在第十一届中国国际半导体照明论坛(SSL CHINA 2014)材料与装备技术分会上,来自北京大学教授、中镓半导体科技有限公司总经理张国义做了题为氮化物半导体LED衬底材料进展的报告。

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  氮化物半导体在LED照明的广泛的应用,已经成为宽禁带半导体材料中最具吸引力的材料。然而,制约氮化物半导体的发展重要因素之一,就是衬底材料。

  由于GaN单晶衬底时至今日没有很好解决,人们不得不采用各种替代GaN的衬底材料,通过异质外延技术,以其满足制备各种器件的需求。

  这些替代衬底材料不同程度的存在着晶体结构失配,晶格常数失配,热膨胀系数失配等因素,造成了生长过程的复杂化,在晶体中引入大量的位错等缺陷,严重影响着器件的性能。

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北京大学教授 中镓半导体科技有限公司总经理张国义


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