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热烈祝贺中镓公司成功研制4英寸6次方GaN单晶衬底
点击次数:  更新时间:2019-03-15 17:26:37  【打印此页】  【关闭

热烈祝贺中镓公司于2月25日成功研制4英寸6次方GaN单晶衬底,标志着中镓公司在大尺寸、高质量GaN单晶衬底研发和生产方面取得了重大突破!

详细规格参数请参阅:www.sinonitride.com/pro_show.asp(图1)


热烈祝贺中镓公司成功研制4英寸6次方GaN单晶衬底

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热烈祝贺中镓公司于2月25日成功研制4英寸6次方GaN单晶衬底,标志着中镓公司在大尺寸、高质量GaN单晶衬底研发和生产方面取得了重大突破!

详细规格参数请参阅:www.sinonitride.com/pro_show.asp(图1)


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