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总投资5亿元!中晶第三代半导体产业化项目签约落户企石!
点击次数:  更新时间:2019-03-15 17:26:37  【打印此页】  【关闭

今天上午

一场汇聚了各行业商界精英的

2018东莞市产业招商大会

在东莞拉开序幕!

企石镇与中晶半导体科技有限公司

现场签约,投资总额达5亿元!


    本次活动由东莞市人民政府主办,主题为“新时代、新东莞、新商机”。出席本次活动的主要领导嘉宾有省科技厅、省商务厅、省发改委、省经信委有关领导,市委书记、市人大常委会主任梁维东、市委副书记、市长肖亚非等,以及超过1200名各行业商界精英齐集东莞,共商盛举、共谋发展。

image.png

    招商大会上,29个重特大招商项目在现场集中签约,涉及协议投资金额超过4000亿元。其中,重大产业项目19个、科技创新平台项目5个、城市更新项目5个。同时,还有30个城市更新项目进行现场推介。

image.png

    据悉,本次签约项目涉及高端智能制造产业、战略性新兴产业以及科技创新合作、城市更新合作等领域,不乏行业龙头企业,项目科技含量高、经济效益好。

image.png

    镇委书记袁丽群、镇委委员王少平参加会议,袁丽群代表企石镇与东莞市中晶半导体科技有限公司签约。签约项目为“企石中晶第三代半导体GaN基衬底及MicroLED产业化项目”,该项目总投资5亿元人民币。

    该投资项目选址企石镇科技工业园,项目拟用地(或租用厂房)15.6亩,项目以第三代半导体GaN基衬底材料、同质外延及MicroLED为主要内容。预计项目投产后,年产值达6亿元,年产生税收2200万元。

image.png

    (1)以3片HVPE设备为基础,完成21片量产型机台的工艺过渡,建设4英寸氮化镓单晶衬底量产生产线,并实现6英寸单晶衬底的小批量试产,折算2英寸年产能达2000片,成为国际单晶衬底产能最大的单晶衬底供应商;

    (2)搭建MiniLED外延芯片生产线,实现年产200000片产能,并成为国际大厂合格供应商,进入MicroLED国际采购供应链

image.png

链接

项目投资方简介

项目投资方是东莞市中晶半导体科技有限公司。公司主要以HVPE设备等系列精密半导体设备技术为支撑,以GaN衬底为基础,重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术,并向新型显示模组方向延展。 同时,公司将以GaN衬底技术为基础,拓展GaN on Gan等材料技术,孵化VCSEL、电力电子器件、SiC器件、III-V族化合物半导体射频器件、激光车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术,进行全球产业布局。




总投资5亿元!中晶第三代半导体产业化项目签约落户企石!

点击次数:  更新时间:2019-03-15 17:26:37  【打印此页】  【关闭

今天上午

一场汇聚了各行业商界精英的

2018东莞市产业招商大会

在东莞拉开序幕!

企石镇与中晶半导体科技有限公司

现场签约,投资总额达5亿元!


    本次活动由东莞市人民政府主办,主题为“新时代、新东莞、新商机”。出席本次活动的主要领导嘉宾有省科技厅、省商务厅、省发改委、省经信委有关领导,市委书记、市人大常委会主任梁维东、市委副书记、市长肖亚非等,以及超过1200名各行业商界精英齐集东莞,共商盛举、共谋发展。

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    招商大会上,29个重特大招商项目在现场集中签约,涉及协议投资金额超过4000亿元。其中,重大产业项目19个、科技创新平台项目5个、城市更新项目5个。同时,还有30个城市更新项目进行现场推介。

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    据悉,本次签约项目涉及高端智能制造产业、战略性新兴产业以及科技创新合作、城市更新合作等领域,不乏行业龙头企业,项目科技含量高、经济效益好。

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    镇委书记袁丽群、镇委委员王少平参加会议,袁丽群代表企石镇与东莞市中晶半导体科技有限公司签约。签约项目为“企石中晶第三代半导体GaN基衬底及MicroLED产业化项目”,该项目总投资5亿元人民币。

    该投资项目选址企石镇科技工业园,项目拟用地(或租用厂房)15.6亩,项目以第三代半导体GaN基衬底材料、同质外延及MicroLED为主要内容。预计项目投产后,年产值达6亿元,年产生税收2200万元。

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    (1)以3片HVPE设备为基础,完成21片量产型机台的工艺过渡,建设4英寸氮化镓单晶衬底量产生产线,并实现6英寸单晶衬底的小批量试产,折算2英寸年产能达2000片,成为国际单晶衬底产能最大的单晶衬底供应商;

    (2)搭建MiniLED外延芯片生产线,实现年产200000片产能,并成为国际大厂合格供应商,进入MicroLED国际采购供应链

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项目投资方简介

项目投资方是东莞市中晶半导体科技有限公司。公司主要以HVPE设备等系列精密半导体设备技术为支撑,以GaN衬底为基础,重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术,并向新型显示模组方向延展。 同时,公司将以GaN衬底技术为基础,拓展GaN on Gan等材料技术,孵化VCSEL、电力电子器件、SiC器件、III-V族化合物半导体射频器件、激光车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术,进行全球产业布局。




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